本发明公开了一种提高沟渠型场效应管性能的低温工艺，包括以下步骤：在Si晶片上形成场效应管结构；在上述场效应管结构的N-区的上面生长或沉积一层氧化物；通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化物上刻蚀出Si槽，并在氧化物上面和Si槽的周边上镀一层铝薄膜，并在铝膜上生长一层非晶硅薄膜；在低温条件下退火，使Si原子将扩散过铝薄，在Si槽内上形成铝掺杂的P+单晶。利用金属铝膜可以辅助非晶硅形成P型单晶的特性，可以在低温下（低于400℃）时候完成集成，从而达到了在制造过程中低温条件下，避免P+的横向扩散的同时方便注入离子的目的。