一种分割环栅的抗辐照MOSFET，涉及半导体器件领域，尤其涉及一种分割环栅MOSFET的方法。本发明对环栅MOSFET进行分割，解决环栅结构难以实现较小宽长比W/L的问题，以期减小沟道泄漏电流和器件面积。本发明根据分割区的不同提出了三种结构，结构一的分割区用场氧实现，减小了环栅栅宽W，而且有一定的抗辐照特性。结构二在分割区引入多晶硅栅（金属栅），抑制源漏间寄生漏电沟道，有较强的抗辐照性能。结构三只分割源/漏极，形成一种有抗辐照特性的电流镜，这种电流镜也可用在无辐照的环境中。分割后的结构可抑制源漏间寄生漏电沟道，具有抗辐照特性，且易与传统MOSFET工艺兼容。