一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结模式下，以达到降低二极管导通压降的目的。本发明所述的二极管在具有常规P-i-N二极管的高阻断电压和低漏电流优势的同时，能够获得更低的导通压降和更快的反向恢复速度，进而大幅度降低二极管在电路应用中产生的功耗。