本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法。本发明提出一种形成无负载效应大尺寸沟槽的方法，通过在金属硬掩膜刻蚀工艺之后沉积介质层充满大、小尺寸接触孔沟槽，并利用研磨工艺于大尺寸沟槽上形成碟陷区域，从而消除具有较大差别尺寸的沟槽在刻蚀时形成的负载效应，有效的避免了大尺寸沟槽内由于负载效应而造成的残留引起的连接失效，不仅提高了产品良率，还扩大了刻蚀工艺窗口，进一步提高刻蚀工艺性能。