一种大尺寸石墨烯堆叠结构晶圆，其特征在于，所述晶圆结构自上而下依次为：石墨烯单晶层，h-BN单晶层，h-BN缓冲层，以及SiO2/Si晶圆衬底。本发明有益效果在于，所述晶圆不但可以充分兼容现有的硅基半导体器件生产工艺，还可充分利用六方氮化硼衬底材料的特性，保证生长的石墨烯具有最完美的晶格结构和散射最弱的载流子输运环境，最大可能的保留石墨烯中载流子的超高迁移率，从而大大提高石墨烯基电子器件的性能。