本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种激光辅助无损转移化学气相沉积石墨烯的方法，该方法在蓝宝石衬底上依次生长GaN和Cu薄层，进而在Cu薄层上CVD淀积石墨烯，同时通过改变GaN薄层的生长厚度和激光波长能量，利用激光剥离衬底，实现石墨烯高效转移；该方法生长转移获得石墨烯时，节省了金属箔的使用，缩短了腐蚀金属所需要的时间，所得石墨烯的质量较高，该方法采用的激光剥离技术，可高效无损的使石墨烯与衬底分离，同时采用很薄的Cu金属膜，可用较短时间彻底去除，消除了Cu杂质对石墨烯的影响，实用性强，具有较强的推广与应用价值。