本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电导率的方法，属于非晶半导体薄膜材料与器件技术领域。该方法包括以下步骤：①对绝缘衬底基片进行清洗；②采用射频磁控溅射方法，在上述基片表面通过硅钌复合靶溅射沉积非晶硅钌合金薄膜；③原位退火处理；④采用共面电极方法制备金属电极。本发明通过在非晶网络中引入贵金属钌，在保留非晶硅薄膜具有较高电阻温度系数、良好光吸收特性的同时，能有效提高非晶硅薄膜的电导率；可用于热敏电阻、红外探测器件和硅基薄膜太阳能电池等领域。