本发明公开一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器，所述红外探测器由下到上依次包括：锑化镓（GaSb）或砷化铟(InAs)材料的衬底、InAs材料的底接触层、量子点层和InAs材料的顶接触层，其中，所述量子点层包括一层或多层的锑化铟（InSb）量子点层以及相应的InAs间隔层，每层InSb量子点层的上下均设置有InAs间隔层；所述InSb量子点层为不掺杂或P型掺杂。根据InSb量子点的掺杂与否以及间隔层材料的选择，本发明的多色红外探测器可实现基于半导体带间跃迁的中波/短波、长波/短波乃至长波/中波/短波的多色红外探测。