本发明涉及金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。为大幅降低3T像素的kTC噪声，结合3T像素自身的优势，使TDI型CMOS图像传感器可以获得较好的成像效果，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，低噪声3T像素CMOS图像传感器，像素阵列具有N行像素和1行伪像素，1行伪像素不进行感光且输出恒定的电压；在整个N+1行像素阵列中，伪像素位于第1行或第N+1行；像素阵列的各列是同时操作的；累加器阵列具有N行累加器，列数与像素阵列相同；累加器各列也是同时操作的。本发明主要应用于图像传感器的设计制造。