本发明公开了一种多晶硅薄膜电阻的测试方法，涉及半导体领域，可及时、准确地监测掺杂后的多晶硅薄膜电阻，能够降低生产损失，提高生产效率。所述方法，包括：提供基板和监控片；在所述基板和监控片上同步形成掺杂的多晶硅薄膜、栅极绝缘层，其中，在所述基板上形成的为图案化的多晶硅薄膜，在所述监控片上形成的为图案化的多晶硅薄膜或不具有图案的多晶硅薄膜；对所述监控片上的多晶硅层进行电阻测试。