本发明提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的二氧化硅层；形成肖特基接触阳极；形成欧姆接触阴极压点、肖特基接触阳极延伸压点、悬空电镀桥，肖特基接触阳极延伸压点通过悬空电镀桥与肖特基接触阳极相连。根据所述制造方法制造的肖特基二极管减小了寄生效应，降低了存在于n+GaAs中的热电子噪声、阳极压点到悬空电镀桥的不连续性、二极管的串联电阻，易于使用倒装焊实现与外围电路的集成。