本发明实施例提供了一种数据处理的方法、闪存及终端，涉及电子技术领域，所述闪存包括：控制电路和多个存储单元；所述存储单元为浮栅金属-氧化物-半导体MOS管，所述浮栅MOS管包括源极、栅极、漏极和衬底；所述控制电路用于输出控制信号分别与所述源极、栅极、漏极和衬底相连以实现对所述存储单元的按位改写操作；所述控制电路还用于，当任一个所述存储单元存储的数据为0时，生成控制信号，使所述存储单元根据所述控制信号将自身存储的数据由0改写为1；其中所述控制信号包括存储单元的衬底接地、源极接负的编程电压VPP，漏极接负的VPP和栅极接负的VPP。本发明提高工作效率和延长Flash的使用寿命。