本发明公开了一种基于SOI的积累型Si-NWFET制备方法，包括：在SOI衬底上形成硅层和锗硅层；刻蚀硅层和锗硅层形成鳍形有源区和源漏区；在鳍形有源区内形成硅纳米线；形成沟道区和栅极并进行源漏区离子注入；形成积累型PMOSFET；沉积层间隔离介质层，在所述层间隔离介质层上形成积累型NMOSFET。由于基于SOI衬底，使下层PMOSFET中栅极与硅衬层之间能够很好地隔离；上下两层半导体纳米线MOSFET是由层间隔离介质层隔离开，便于层转移工艺的实现，也可以完全独立进行工艺调试，如栅极功函数调节；此外，本发明中PMSOFET与NMOSFET均为积累型，器件具有较高的载流子迁移率。