本发明公开一种新型结构的VDMOS器件及其制造方法，在有源区内设置第一沟槽，并且第一沟槽内壁生长厚的绝缘氧化层，第一沟槽的深度深于元胞沟槽，其深度超过半导体基板第一导电类型外延层厚度的一半，以满足器件的耐压需求。同时，在第一沟槽内的第一导电多晶硅上方设置了第一金属，第一金属与第一导电多晶硅等电位电性连接，进一步提升器件的耐压能力。本发明通过引入第一沟槽增加器件的耐压能力，从而可以选择更低电阻率的外延层，因此器件在满足更高耐压需求的同时也拥有较低的特征导通电阻。