使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括漂移区、硅衬底、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极和绝缘栅极介质，其特征在于，漂移区、硅衬底、源极为第一种导电类型，沟道区、欧姆接触重掺杂区为第二种导电类型，高介电常数材料柱设置于栅极与硅衬底之间，栅极与高介电常数材料柱直接接触，漂移区环绕于高介电常数材料柱。本发明使高介电材料功率器件的比导通电阻和纵向Super Junction功率器件相比，出现超过三个数量级的降低。