本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法，应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺，且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面，方法包括：采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺；其中，添加剂的材质为氮化硅和/或类氮化硅和/或间接转化为氮化硅的物质和/或氧化硅和/或类氧化硅和/或间接可以转化为氧化硅的物质；该方法从化学源头解决工艺需求，省去进行挡片的工艺步骤，在不减小刻蚀氮化硅速率的同时，有效控制化学液的反应，节约产品制程的时间，进而降低生产成本。