本发明公开了一种高响应的DIP整流桥的制作工艺，其特征在于：主要为框架退火、刷胶组装、焊接三个步骤。所述框架退火工艺为：将框架通过通有氮气的焊接炉（T_peak=440-460℃）退火。所述刷胶组装工艺为：利用丝网印刷，将锡膏印刷至框架工艺设计区域，再将芯片通过吸盘分向，并用吸笔转换至已经印刷锡膏的框架工艺设计区域。所述焊接工艺为：将组装完成的材料放进石墨舟通过焊接炉（T_peak=350-360℃）使芯片与框架焊接在一起。本发明所得的产品，经检测，芯片表面为金属-半导体直接接触，故频率高，反向恢复时间短，Trr≤15ns，可靠性能好。