本发明公开了一种利用受限光催化氧化改性ITO的方法及其应用。该方法是直接在ITO表面滴加质量分数为20%～40%的过硫酸铵水溶液，然后覆盖光掩模，在紫外光下照射，即可得到改性的ITO。以改性的TO作为分子模板，采用低温液相沉积的方可以快速、简单、高效的制备成无机半导体二氧化钛、氧化锌、钛酸钡阵列，采用简单的旋涂法或浸涂法可以快速、简单、高效的制备成硫化镉、磷脂膜、聚苯乙烯微球、导电聚合物薄膜、液晶阵列，为电子产业发展奠定了基础。