本发明涉及半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种双结构接触孔同步刻蚀工艺，通过沉积氮化硅阻挡层后，立即去除位于感光区中氮化硅阻挡层，进而改变了CIS产品的双结构接触孔的沉积层结构，并在后续的刻蚀工艺中增大层间介质层（绝缘介电层）相对阻挡层和硅基底的刻蚀选择比，进而减少了单独针对感光区底部氧化硅阻挡层的刻蚀步骤，达到在形成双结构接触孔的同时，减少逻辑区无边界接触孔在STI上的氧化硅损失，在增强工艺可靠性和稳定性的同时，提高了产品的良率。