本发明公开了一种电感，包括电感线圈和衬底结构。衬底结构包括：P型半导体衬底、N型外延层和多个条形结构的采用光刻和离子注入工艺形成的P型掺杂区。P型掺杂区的深度大于等于N型外延层的厚度。P型掺杂区将N型外延层分隔成多个N型掺杂区，并形成N型掺杂区和P型掺杂区交替排列的结构。交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区能够在衬底中形成耗尽区，使衬底呈高阻状态，从而能阻断衬底涡流；耗尽区还会减少衬底的寄生电容，能够提高器件的品质因素。本发明并不需要深沟槽隔离工艺，工艺成本低。