本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种BCD集成器件及其制造方法，用以解决现有技术中由于制作掩埋层和外延层的工艺成本很高，从而使其应用范围受到限制的问题。本发明实施例的方法包括：衬底、超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN，其中超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN位于衬底中。由于超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN直接制作在衬底中的，不需要传统工艺中的外延层，从而降低了制造成本，提高了性价比，扩大了其应用范围，弥补了现有技术的不足。