本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-VIA族半导体纳米线连通，欧姆电极与P-型IIB-VIA族半导体纳米线呈欧姆接触，肖特基电极与P-型IIB-VIA族半导体纳米线呈肖特基接触。本发明工艺简单，存储性能稳定，能有效提高非挥发性存储器的开关电导比和保持时间，为非挥发性存储器的微型化及纳米材料在存储器中的应用奠定了基础。