本发明公开了一种横向石墨烯PIN结的制备方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域。本发明在衬底上制备的n型底层石墨烯(1)或p型底层石墨烯(8)，通过光刻将需要的底层石墨烯保留，在需要作为原掺杂类型区域的底层石墨烯上沉积遮挡层，将另一掺杂类型的转移石墨烯转移到所得样品的表面，后光刻并腐蚀去除遮挡层及其上的转移石墨烯，形成横向石墨烯PIN结。本发明通过光刻技术、转移技术等实现了横向石墨烯PIN结的可控制备，填补了PIN结制备技术的空白；本制备方法中石墨烯PIN结中材料的掺杂浓度、层厚度、大小尺寸等容易控制，且所用工艺简单，易实现。利用本发明制备的横向石墨烯PIN结可应用于制备石墨烯光电探测器等功能器件，提高器件的性能。