一种双阳极短接的IGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件的阳极结构为双阳极短接结构，包括第一、第二P+空穴发射层、金属集电极和二氧化硅阻挡层；二氧化硅阻挡层位于第一P+空穴发射层背面；金属集电极位于第一P+空穴发射层侧面和第二P+空穴发射层下方，且与两个P+空穴发射层相接触；第二P+空穴发射层位于N-漂移区底部，与第一P+空穴发射层平行错开分布，第一、第二P+空穴发射层之间形成电子沟道。本发明通过对IGBT器件的阳极结构进行改进，提高了空穴的注入效率，优化了漂移区载流子浓度分布，加强了器件体内的电导调制能力，有效消除了NDR区，有效减少IGBT器件的关断损耗，最终实现了器件导通压降和关断损耗的一种优化折衷。