一种CuO/CoTiO₃复合气敏薄膜的制备方法，将TiO₂靶材和Co₃O₄靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将Cu靶放入直流溅射靶位；将Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品室内抽真空，并向镀膜室通入Ar气，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa-2Pa；设置两射频靶电源功率为100-400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰0.5-2，同时调节直流靶功率为20W-200W，溅射10min-90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃-700℃，煅烧0.5h-3h，随炉冷却得到最终产物。本发明通过降低“吸附”与“氧化还原反应”两个环节的活化能来实现半导体室温气敏性。这种方法反应效率高，成膜性好。