本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，界面层(1)采用0.5-1nm的GeO₂；阻挡层(2)采用厚度为0.5-2nm的Al₂O₃；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1-10nm的La₂O₃或LaAlO₃或HfLaO_x；保护层(4)采用厚度为1-2nm的Al₂O₃。整个材料采用原子层淀积方法制备，制备完成后进行低温和高温退火处理。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。