本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路，包括PMOS管，其特征在于，所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源V_HV连接、栅极与源极接地。本发明的有益效果为，高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差始终为固定的应用高压电源电压V_HV，该电势差大小等于衬底所加固定电压值，本发明提供的SOI高压PMOS管击穿电压仿真电路及方法弥补了常规仿真电路及测试方法中SOI高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差随漏极所加电压V_nh变化而变化这一缺陷，与实际应用中SOI高压PMOS管的情况更加符合。本发明尤其适用于SOI高压PMOS器件的仿真。