本发明的发光装置具备放射第一波长的光的半导体发光元件、和包含至少一种第一荧光体并且被上述第一波长的光激发而放射与上述第一波长的光不同的第二波长的光的第一波长变换部，上述荧光体包含作为激活剂的Eu(铕)，上述第一波长的光以1kW/cm²以上的光密度照射上述第一波长变换部，在设想为射入上述第一波长变换部的上述第一波长的光，和从上述第一波长变换部放射的上述第二波长的光的光输出比为η1的情况下，上述第一波长的光以5kW/cm²的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η1₁，和上述第一波长的光以2.5kW/cm²的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η1₂满足关系式1≤η1₂/η1₁≤1.17。