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> 技术详情
多功能图像传感器及其制作方法
编号:S000021260
刷新日期:
有效日期至:
2020-11-08
浏览:
2285
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明涉及图像传感器领域,公开了一种多功能图像传感器及其制作方法。本发明中,在传统的CMOS图像传感器的基础上,增加了新的掺杂区,与感光器件表面上的一个掺杂区形成发光二极管结构,使CMOS图像传感器同时具有感光和发光的功能。在衬底上形成转移晶体管的栅极,可以进一步地提高图像传感器的集成度。第二区域为P型半导体可以提高光敏感性,消除表面态和表面缺陷引起的暗电流,从而减小热噪声。第二区域和第一区域之间的PN结构成图像传感器的感光器件,第二区域的掺杂浓度远大于第一区域的掺杂浓度,这样可以使耗尽层更厚,使光线吸收更好。驱动频率至少为24Hz,符合人体视觉暂留的时间,可以产生无停滞感的连续图像。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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