一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW^-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。