本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种背栅薄膜晶体管存储器的制备方法。本发明主要步骤有：采用重掺杂的P型单晶硅片为衬底，并作为栅的引出电极；采用ALD方法生长Al₂O₃薄膜，用作存储器的电荷阻挡层；用ALD淀积金属纳米晶，作电荷俘获层；采用ALD的方法淀积SiO₂/HfO₂/Al₂O₃叠层结构，用作存储器的隧穿层；采用ALD的方法淀积IGZO薄膜，通过光刻和湿法刻蚀工艺形成有源区，用作导电沟道；通过光刻工艺形成源、漏区域，然后淀积一层金属，并结合lift-off技术，完成源、漏极的加工。本发明能很好地调控沟道的电学特性，提高存储器性能的大面积均匀性，并可改善存储器的数据保持特性和耐受性等可靠性。