本发明提供一种基于SOI的纵向SiGe-HBT及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该方法通过将普通的厚埋氧层的常规SOI半导体衬底作为起始晶片，在其特定区域制作薄埋氧层，并在薄埋氧层上制作HBT。该器件工作时，通过向该HBT施加背栅正电压使得在接近薄埋氧层的上表面形成电荷反型层作为次集电区，该层成为集电极电流的低阻抗导通渠道，从而显著减小集电区电阻，提高截止频率。同时，本发明的器件制备工艺简单，在特定区域减薄埋氧层，成功将所需的衬底偏压降至CMOS工艺中典型的3V甚至更小，这对实现SiGe-HBT与SOI-CMOS的集成工艺的兼容有重要意义。