本发明涉及半导体制造领域，具体来说是一种可避免空洞的电镀铜的方法。包括以下步骤：在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽；在所述沟槽的表面以及晶圆的上表面添加添加剂；使用4～5安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为85～95转每分钟，填充时间为5～6秒，填充铜的厚度为130～140埃；分三步对所述沟槽以不同大小的电流通过电镀方式填充不同厚度的铜；淀积：使用41～42安培的电流对所述沟槽通过电镀方式填充铜，填充过程中所述晶圆的转速为10～14转每分钟，填充时间为10～14秒，填充铜的厚度为3510～3520埃。本发明能防止在电镀的过程中产生空洞以及过早封口。