一种NMOS器件制作方法，包括：提供含有NMOS的基底；在所述基底上沉积具有高拉应力的氮化硅层；对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层分别进行离子注入，所注入的离子能量的总和与NMOS沟道长度成反比；继续后续通用的半导体工艺流程，以形成NMOS晶体管。本发明所提供的NMOS器件制作方法根据沟道长度的长短依次对具有不同沟道长度的NMOS所对应的氮化硅层进行离子注入，使得氮化硅层的应力与沟道长度成正比，从而实现对NMOS器件性能调整的一致性。