本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。