一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构，终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围；器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比导通电阻，并减小了版图面积；单个或多个元胞集成，多个并联元胞可共用同一个终端，并通过漏极引出结构将漏电极横向引出，使漏极、栅极和源极都在表面，不仅易于和常规电路集成，而且大大减小版图面积，进一步降低工艺成本；另外，采用较薄的埋氧层可增加器件纵向电场，同时可有效减缓器件自热效应。