本发明涉及半导体的制作领域，具体地说是一种使晶圆背部平坦的方法。本发明包括以下步骤：将载片晶圆与器件晶圆通过键合氧化物键合；对所述器件晶圆进行修边，使所述器件晶圆的边沿圆滑；对所述器件晶圆的背部进行机械研磨，研磨至所述器件晶圆的厚度为25um～50um；通过化学方法对所述器件晶圆的背部进行处理，将所述器件晶圆的厚度进一步减薄至2um～3um。利用化学蚀刻的方法将质地坚硬的氧化硅蚀刻，对于对厚度要求精确度较高的工艺来说，化学研磨比机械研磨更容易控制，并且不会造成颗粒污染。