本发明提供一种垂直静电放电保护元件及其制作方法，该垂直静电放电保护元件包括：一基底，包括多个沟槽，其中各沟槽中包括一凹槽栅极；一漏极区，设置于两相邻的凹槽栅极间；一静电放电保护掺杂区，设置于各漏极区下；及一源极区，包围上述凹槽栅极和漏极区，且源极区位于上述凹槽栅极和静电放电保护掺杂区下。本发明可垂直设置漏极区、静电放电保护掺杂区和源极区，因此，可减少布局区域，以增加积集度；此外，垂直静电放电保护金属氧化物半导体场效晶体管元件可在开启模式下将元件通道完全打开，以更有效率的操作元件。