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一种采用非光刻工艺制备图形化ITO电极的方法
编号:S000021085 刷新日期: 有效日期至:2021-01-01 浏览:2524 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 吉林 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明属于有机电子器件领域,具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合,配制成溶液中H+浓度为6.0~7.0mol/L的刻蚀溶液;将带有胶黏层的保护膜切割成长方形,然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域;将衬底置于刻蚀溶液中1.5min~2min,将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉,得到图形化的ITO电极;腐蚀结束后揭下保护膜,进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极,边缘整齐,无锯齿状,操作简单,无需特殊工艺和特殊设备,适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极,易于推广使用。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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