一种沟槽的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上依次有刻蚀停止层和第一介质层；形成光刻胶掩模，进行第一刻蚀，在第一介质层中形成具有第一宽度的开口；进行第一沉积，形成第二介质层；对第二介质层进行第二刻蚀，去除第一介质层上以及开口底壁和侧壁上的第二介质层，保留具有第一厚度的所述开口侧壁上的部分；进行第二沉积，沉积第三介质层，第三介质层至少填满开口；平坦化第三介质层至露出所述第二介质层；进行第三刻蚀，去除第二介质层，以在第一介质层和所述第三介质层之间形成缝隙；进行第四刻蚀刻蚀第一介质和所述第三介质，以拓宽缝隙而形成沟槽。本发明可以利用现有的曝光设备实现较先进的工艺尺寸要求。