本发明提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池包括支撑衬底，以及在所述支撑衬底表面依次设置的Ge或InGaAs的键合层、第二Ge子电池、第一隧穿结、第一Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1)提供一GaAs衬底；2)在GaAs衬底表面生长依次生长Al_0.3Ga_0.7As或GaInP的牺牲层、GaAs接触层、GaInP子电池、第三隧穿结、GaAs子电池、第二隧穿结、第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池和Ge或InGaAs的键合层；3)提供一支撑衬底；4)将支撑衬底键合至Ge或InGaAs的键合层表面；5）从GaAs接触层处将GaAs衬底及Al_0.3Ga_0.7As或GaInP的牺牲层剥离以去除GaAs衬底及Al_0.3Ga_0.7As或GaInP的牺牲层。