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一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法
编号:S000021057 刷新日期: 有效日期至:2020-11-25 浏览:2073 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 四川 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数(TCR)的无相变氧化钒薄膜,用作红外与太赫兹波段的敏感层,上层氧化钒薄膜具有较低的相变温度,可发生半导体相-金属相的可逆相变,半导体相时与下层氧化钒薄膜一起用作红外吸收层,相变为金属相后用作太赫兹辐射吸收层。利用微桥结构的谐振可充分吸收红外辐射,调节金属相氧化钒薄膜的电导率、折射率等光电参数,又可实现对太赫兹辐射吸收的最大化。该微桥结构能够实现双波段探测与成像,制备工艺简单,与MEMS工艺兼容,具有广阔的应用前景。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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