一种铜金属覆盖层的制备方法，包括：步骤S1：提供具有冗余铜金属填充的半导体器件；步骤S2：化学机械研磨冗余金属铜填充所在的表面，并停止在所述防金属扩散层；步骤S3：进行离子干法刻蚀，并使得所述铜金属填充的第二上表面较所述沟槽结构之第一上边沿具有预定高度h₁的凹陷；步骤S4：淀积金属覆盖层；步骤S5：化学机械研磨去除防金属扩散层且铜金属填充的第二上表面具有金属覆盖层；步骤S6：淀积介质隔离保护层。本发明所述方法不仅可以在铜金属填充上淀积金属覆盖层，且避免低介电常数介质层污染。同时，改善铜金属填充与介质隔离保护层的粘附特性，减少了界面扩散和迁移，提高抗电迁移能力和应力迁移能力，最终提高了所述半导体器件的可靠性能。