本发明公开了一种IC内连线制备过程中的沟槽制备方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件上依次沉积有第一阻挡层、层间介质层、第二阻挡层和金属掩膜层；在所述金属掩膜层上涂覆光刻胶并进行针对沟槽的图形化，以光刻胶为掩膜去除金属掩膜层和第二阻挡层，并去除所述光刻胶；在金属掩膜层和第二阻挡层的侧壁形成掩膜侧墙；在前一步骤所形成的结构中，在所述层间介质层中形成沟槽，同时去除所述掩膜侧墙。本发明在形成沟槽之前，所形成的掩膜侧墙保护了第二阻挡层侧壁和层间介质层之间的界面，此后所制备的内连线材料便不能填充入第二阻挡层和层间介质层之间，避免了对集成电路可能造成的破坏。