本发明公开的是多层清除金属栅极堆叠件及其制造方法。在一个实例中，设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的界面介电层、设置在界面介电层上方的高k介电层、设置在高k介电层上方的第一导电层以及设置在第一导电层上方的第二导电层。该第一导电层包括设置在高k介电层上方的第一金属层、设置在第一金属层上方的第二金属层以及设置在第二金属层上方的第三金属层。第一金属层包括将氧杂质从界面介电层中清除的材料，而第二金属层包括吸收第三金属层中的氧杂质并且阻止氧杂质扩散到第一金属层中的材料。本发明提供用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件。