本发明涉及一种超结高压功率器件的制造方法。本发明提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层、之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层，界定出器件的有源区，生长栅氧化层，界定出多晶硅第一次刻蚀的区域；整个半导体硅片表面进行深p+注入，前面工艺形成的多晶硅区域可以界定形成p+区域；将硅片置于多晶硅刻蚀液中，通过控制刻蚀时间及刻蚀速率，将多晶硅进行二次刻蚀，之后形成型源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层，界定出接触孔区域，并进行氧化层刻蚀；淀积金属层，通过光刻，定义出刻蚀区域，进行金属刻蚀。本发明提高器件的雪崩耐量,改善器件的可靠性,并且不影响器件的开启电压和导通电阻。