本发明涉及一种改善光刻胶形貌的方法，包括以下步骤：选取一次已知参考曝光的曝光参数，并根据该曝光参数进行多次曝光工艺；在进行每次曝光工艺时，保证每次曝光能量和焦距与参考曝光的能量和焦距满足一定关系，采用以上技术方案可极大改善曝光显影后光刻胶的形貌，提高曝光的工艺水平，同时本发明尤其适用于超大高宽比图形的制备工艺中，进而制备出性能更好的半导体器件。