本发明涉及一种纳米量子点浮栅的制备方法。所述包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层；蚀刻所述第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层以形成沟槽，并露出所述隧穿介质层；在所述沟槽内隧穿介质层表面和所述第一牺牲层表面上沉积纳米量子点；沉积介电质层，以覆盖所述的纳米量子点；执行平坦化步骤，去除所述第一牺牲层以及位于所述第一牺牲层上的所述介电质层和所述纳米量子点，露出所述的第二牺牲层；沉积控制栅材料层；执行另一平坦化步骤，去除所述第二牺牲层上的所述控制栅材料层。所述方法更加容易控制，更高效的制备存储特性优异的纳米硅量子点。