一种NVM器件包括具有第一区和第二区的半导体衬底。NVM器件包括形成在第一区内并被设计成可通过操作保留电荷的数据存储部件。NVM器件包括形成在第二区内并与数据存储结构耦合以用于数据操作的电容器。数据存储结构包括位于半导体衬底中的第一类型的第一掺杂阱。数据存储结构包括位于第一掺杂阱上的第一栅极介电部件。数据存储结构包括第一栅电极，被设置在第一栅极介电部件上并被配置为是浮置的。电容器包括第一类型的第二掺杂阱。电容器包括位于第二掺杂阱上的第二栅极介电部件。电容器还包括被设置在第二栅极介电部件上并与第一栅电极连接的第二栅电极。本发明还公开了用于单栅极非易失性存储器的结构及方法。