本发明公开了一种检测预处理能力的方法，通过采用工艺机台中的预处理程式进行预处理工艺，并检测半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率，而后计算该半导体结构在进行预处理工艺前后的反射率差值，比较该差值与设定的反射率标准差值下限的大小，从而完成预处理能力的检测工艺，克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法，导致的由于预处理步骤不能完全去除氧化铜，器件性能降低的问题，也克服了现有技术中由于无有效检测预处理能力的方法，导致异常只能在可靠性测试阶段才会被发现，而造成一批产品的良率低下，造成巨大的经济损失的问题，进而保证了器件的良好性能，提高了产品的良率，且避免了巨大的经济损失问题的发生。